Артикул: Samsung EVO PLUS 256 ГБ, 130 МБ/с
Cрок поставки : 15 декабря

Карта памяти microSDXC UHS-I U3 Samsung EVO PLUS 256 ГБ, 130 МБ/с, Class 10, MB-MC256KA/RU, 1 шт., переходник SD

Карта памяти Samsung EVO Plus microSD обладает повышенной ёмкостью и совместимостью с разными устройствами, она ориентирована на практическое использование в вашей жизни. Эта карта совместима с картами класса UHS-I Speed Class 1 (U3) и Class 10 и рассчитана на запись видео в формате Full HD. При скорости чтения 130 млн байт / сек соответственно, приложения, видео и файлы будут загружаться еще быстрее. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.

Водостойкая, с защитой от рентгеновского излучения.

Производство Samsung, Филиппины.

5 320
6 580

Карта памяти Samsung EVO Plus microSD обладает повышенной ёмкостью и совместимостью с разными устройствами, она ориентирована на практическое использование в вашей жизни. Эта карта совместима с картами класса UHS-I Speed Class 1 (U3) и Class 10 и рассчитана на запись видео в формате Full HD. При скорости чтения 130 млн байт / сек соответственно, приложения, видео и файлы будут загружаться еще быстрее. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.

Водостойкая, с защитой от рентгеновского излучения.

Производство Samsung, Филиппины.

Для фотографий превосходного качества и записи видео в формате Full HD/ Super HD

Подтип  microSDXC

Емкость 256 ГБ

Кол-во шт. в упаковке  одна

Классификация по скорости записи  Class 10

Класс скорости UHS-I U3

Скорость чтения, макс.130 МБ/с

Переходник SD

Водостойкая  да

Термостойкая да

Стойкая к рентгеновскому излучению  да


Комплектация:

SD адаптер
Карта памяти EVO Plus


ЕАЭС RU С-KR.АЯ46.В.22194-21_2.jpg
350.3 кб, 21 января в 14:49
ЕАЭС RU С-KR.АЯ46.В.22194-21_1.jpg
335.9 кб, 21 января в 14:48
ЕАЭС N RU Д-KR.РА01.В.92542-21_3.jpg
262.7 кб, 21 января в 14:48
ЕАЭС N RU Д-KR.РА01.В.92542-21_2.jpg
282.3 кб, 21 января в 14:48
ЕАЭС N RU Д-KR.РА01.В.92542-21_1.jpg
112.6 кб, 21 января в 14:48